Netherlands: Netherlands: Regeling geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders (Regulation on advanced semiconductor manufacturing equipment)

1. Artikel 1
2. Artikel 2
3. Artikel 3
4. Artikel 4
5. Artikel 5
6. Artikel 6
7. Artikel 7: Ondertekening
8. 1. Een aanvraag voor een vergunning als bedoeld in artikel 2 wordt gedaan door
9. 3. De inspecteur kan bij de aanvraag in ieder geval verzoeken om de
10. 1. Aan een vergunning als bedoeld in artikel 2 kunnen voorwaarden en
11. 2. Een vergunning als bedoeld in artikel 2 kan onder beperkingen worden
12. 1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt
13. 2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van
14. 1. Meer dan één metaalbron waarvan één is ontwikkeld voor een aluminium
15. 2. Uitgangsstofvat ontworpen voor temperaturen hoger dan 45 °C; en
16. 1. Afzetting van titanium aluminium carbide (TiAlC); en
17. 1. Meerdere kamers en middelen voor hoog-vacuüm (minder dan of gelijk aan
18. 0.01 Pa) of een inerte atmosfeer (water en zuurstof partieeldruk minder dan
19. 2. Tenminste één voorbehandelingskamer ontworpen voor
20. 3 Staatscourant 2023 nr. 18212 30 juni 2023
21. 4 Staatscourant 2023 nr. 18212 30 juni 2023
22. 5 Staatscourant 2023 nr. 18212 30 juni 2023

The outline comes from headings detected in the text, so it might miss some or include extras.

1. Article 1
2. Article 2
3. Article 3
4. Article 4
5. Article 5
6. Article 6
7. Article 7: Signature
8. ANNEX ACCOMPANYING THE REGULATION ON ADVANCED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT
9. 1. A light source wavelength shorter than 193 nm, or
10. 2. Precursor vessel designed for temperatures higher than 45 °C; and
11. 1. Deposition of titanium aluminium carbide (TiAlC); and
12. 3 Staatscourant 2023 no. 18212 30 June 2023
13. 4 Staatscourant 2023 no. 18212 30 June 2023
14. 5 Staatscourant 2023, no. 18212 30 June 2023

The outline comes from headings detected in the text, so it might miss some or include extras.